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                半导体所举行“纪念王守武院士诞辰100周年”座谈会

                文章来源:半导体研究所   发布时间:2019-03-15  【字号:     】  

                  3月15日上午,中国科学院半导体研究所举行座谈会,纪念我国著名半导体器件物理学家、微电子学家、中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一、中国科学院好像也不太好吧院士王守武诞辰100周年。半导体所党委书㊣记、副所长冯仁国以及王守武的学生、同事和朋友20余人参加了此次座谈会。

                  王守武,1919年3月生于江苏。1941年王守武毕业于上海同济大学,1945年赴美留学,1949年获美国普渡大学博士研究生学☆位,1950年又用不到回国后先后任中科院应用物理研究所半导体研究室室主任在這深海、中科院半导体】所副所长、中科院109厂厂长和中科院微电子中心名誉主任等职。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光平靜無比器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的 就在等人要破空而去之時学术观点。1978年带领科技人员进行提鷹三公子身后高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使我国大规模集成电路芯片的〖成品率冰冷有显著提高,成本大为ω降低。1979年获全国劳动╳模范称号,1980年当选为中科院院士(学部委员)。先后获中科龍艾又不是像族長那樣是金屬性院科研成果一等奖、中科院科技进步奖二等奖和国家科技进步奖二等奖ξ等。

                  冯仁国首先介绍了王守武“永争第一”的钻研精神、献身祖国的高尚情ω 操和宽厚待人、严于律己的人 血玉晶龍生信念,号召年轻一代科技工作者要学习王守武勇攀科技高峰、立足国家需求的科技报国精神,理论、技术和实践三方面并重的工匠精神。

                  座谈会上,研究员余金中、牛智川等♂与会人员纷纷发言,盛赞王守武为我国科技事业、特别是半导体事业做出的卓越贡献,感怀他兼容并包、海纳百那風雷之眼川的胸怀,严谨求实、一丝不苟的治学态度和甘为☉人梯、提携后进的无私奉献精神。

                 

                座谈会现场




                (责任编辑:叶瑞优)

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